Ученые из Института фундаментальных наук в Южной Корее разработали методику, помогающую вырастить искусственный алмаз за считанные минуты. Она также не требует сильного сжатия.
Новый метод основан на смешивании жидких металлов. В состав смеси вошли никель, галлий, железо и кремний.
Процесс также потребовал сильного нагрева до 1025 градусов Цельсия. Специально разработанная вакуумная система внутри графитого корпуса позволила быстро нагревать и охлаждать металлы, подвергая их воздействию смеси метана и водорода.
В таких условиях атомы углерода из метана проникали в расплавленный металл, создавая основу для алмазов. Всего через 15 минут небольшие частицы кристаллов выделились из жидкого металла непосредственно под поверхностью.
Через 2,5 часа образовалась сплошная алмазная пленка. Давление при этом составляло 1 атм (стандартная атмосферная единица) – в десятки тысяч раз меньше, чем обычно требуется для изготовления искусственных алмазов.
Синтетические алмазы широко применяются в самых разных промышленных процессах, электронике и даже квантовых компьютерах. Ученые отметили, что новая методика позволит сделать их производство намного быстрее и проще, сообщает Nature.
Ранее российские ученые рассчитали скорость роста алмазов в недрах Земли. В зависимости от условий окружающей среды, алмаз весом в один карат может расти от 4,5 месяцев до 17,5 лет.